Qnity全面布局AI應用3D堆疊半導體材料

人工智慧（AI）無疑已是全球半導體產業技術發展最主要的驅動力量，半導體製程全面跨入高密度3D立體堆疊時代。隨著晶片結構更為精細，先進封裝材料成為決定AI系統整體效能與量產可行性的關鍵。半導體技術同時朝微縮與堆疊發展，2025年自杜邦（DuPont）獨立的半導體材料供應商啟諾迪（Qnity），積極布局先進封裝、PCB與系統端，整合性產品組合涵蓋金屬化、凸塊、介電層和精細線路圖案化等製程，適用2.5D、3D和面板級架構，提供端對端製程解決方案。

在 SEMICON Taiwan 2026 期間，異質整合與先進封裝的材料發展趨勢成為產業焦點。Qnity在晶片製造、先進封裝、AI印刷電路板製造、組裝與顯示器等領域提供關鍵材料。在先進封裝介電材料、光阻電鍍方案與熱管理技術等領域。而在感光型介電材料部份，相較傳統ABF載板需逐孔加工，感光型材料改採曝光方式，能一次完成多塊處理以大幅提升產能；其加工精度可達到20微米以下，為下一代關鍵介電材料。此外，針對載板與面板級製程提供乾膜光阻與電鍍材料，並能配合無光照曝光等不同光源設備需求進行客製化開發。

晶片至系統級熱管理部分，涵蓋晶片級（Chip level）至系統級（System level）的散熱需求，推出導熱墊片（Pad）與細微至25微米的點膠式填縫材料（Gap filler），有效填補微觀隙縫，確保高導熱係數與運作穩定度。

Qnity的可規模化的材料解決方案平台，整合了金屬化（Metallization）、凸塊製程（Bumping）、介電材料（Dielectric）及精細線路圖案化（Fine-line patterning）等技術，以支援新一代高密度及3D整合半導體系統的發展。 CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）、EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge）以及高頻寬記憶體等先進封裝平台，對電鍍層精準的高度控制及優異共平面性（Coplanarity）有極高要求。Qnity的產品組合可支援錫銀微凸塊（SnAg micro-bump）、銅對銅（Cu-Cu）直接鍵合與混合鍵合（Direct and Hybrid Bonding），以及高解析度介電材料與微影圖案化製程，實現2微米線寬/線距（Line/Space）的金屬化能力，同時具備嚴謹的關鍵尺寸（Critical Dimension）控制與低缺陷率，滿足客戶對下一代先進封裝的技術需求。