埃米時代的關鍵：解析High-NA EUV微影技術

High-NA EUV（高數值孔徑極紫外光）的新聞熱度越來越高，特別是近期台積電提前採用的傳問喧囂而上。那究竟什麼是High-NA EUV？它又為何重要？這篇短文來做個深入淺出的解析。

微影技術一直半導體製程微縮的關鍵。為了突破微影解析度的物理極限，新一代High-NA EUV系統將數值孔徑（NA）從現行的0.33大幅提升至0.55，使臨界解析度從13nm推進至8nm，讓晶圓廠可以在單次曝光中完成A14(1.4nm)與A10(1.0nm)複雜的電路佈局。

High-NA技術之所以關鍵的原因，就在於它對傳統NA物理極限的突破。根據光學瑞利準則（Rayleigh Criterion），微影解析度與光源波長成正比，並與數值孔徑成反比。過去半導體產業透過不斷縮短光源波長來提升解析度，但如今EUV的光源波長已固定在13.5nm，在物理與工程上極難進一步縮短。因此，提升機台的NA值便成為繼續縮小電晶體線寬最主要的物理手段。